职位描述
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职责描述:
1.执行前段工艺可靠性测试,如HCI、NBTI、PBTI、GOI、C-V、Charge pumping;
2.研究、开发新的半导体器件可靠性测试方法和标准;
3.设计可靠性测试结构;
4.研究先进制程中的可靠性失效机理;
5.评估工艺异常导致的可靠性风险。
任职要求:
1.有良好的半导体物理或固体物理基础。5年以上工艺可靠性或者工艺开发经验,2年以上先进逻辑可靠性或者工艺开发经验。
2.对集成电路前段可靠性如HCI、NBTI、PBTI、GOI的失效机理和测试方法有深入了解,或者有MOS器件工艺开发、电性测试相关经验。硕士及以上。
工作地点
地址:武汉江夏区武汉-江夏区武汉新芯集成电路制造有限公司(高新四路)
![](http://img.jrzp.com/jrzpfile/rcw/SearchJob/images/jg.png)
![](https://img.jrzp.com/images_server/comm/nan.png)
职位发布者
HR
武汉新芯集成电路制造有限公司
![](http://img.jrzp.com/jrzpfile/provincercw/images/sfrz_yrz.png)
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电子技术·半导体·集成电路
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1000人以上
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公司性质未知
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武汉市东湖新技术开发区高新四路18号