职位描述
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职责描述:
1、负责NAND FLASH MEMORY相关电路的设计开发,根据项目需求来定制FLASH阵列架构,通过仿真来优化存储阵列的相关电路;
2、参与从产品定义,设计,建模到后端验证,测试的整个环节。也会参与到工艺集成,产品测试以及失效分析等等相关工作;
3、对NAND FLASH的操作有所了解,有过FLASH的相关设计经验;
4、熟悉FLASH存储阵列的电路以及版图,对可靠性需求有所理解;
5、有着丰富的定制电路设计经验和模拟电路设计技巧,了解晶体管级设计需求;
6、能够配合产品工程师进行产品的失效分析,找出设计缺陷;
7、领导安排的其他工作。
任职要求:
1. 微电子及相关专业本科以上学历,五年以上模拟IC工作经验;
2. 扎实的模拟集成电路基础,有成功的模拟电路项目设计开发经历和量产经验优先;
3. 有相应的NAND flash 设计三年以上经验;
4. 掌握Cadence Spectre, Mentor Calibre,HSPICE等EDA工具;
5. 能指导Layout布局,产品测试及Debug。
工作地点
地址:上海浦东新区上海-浦东新区上投盛银大厦E楼
![](http://img.jrzp.com/jrzpfile/rcw/SearchJob/images/jg.png)
![](https://img.jrzp.com/images_server/comm/nan.png)
职位发布者
HR
武汉新芯集成电路制造有限公司
![](http://img.jrzp.com/jrzpfile/provincercw/images/sfrz_yrz.png)
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电子技术·半导体·集成电路
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1000人以上
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公司性质未知
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武汉市东湖新技术开发区高新四路18号